当地时间3月3日，存储巨头美光科技上调2021财年第二财季（截至2021年3月4日）业绩预期。美光预计该季度营收为62亿至62.5亿美元，较此前预计的56亿至60亿美元高；每股收益为51至56美分，高于此前估计的34至48美分。

存储器供应持续紧缺。美光CFO David Zinsner在摩根士丹利TMT会议上表示，存储供应持续紧张，特别是DRAM。他称，公司库存将减少。

在1月财报会上，美光CEO Sanjay Mehrotra表示：“我们相信DRAM已走出行业周期的最低谷。随着全球持续的数字化经济发展，以及在人工智能、云计算、5G和智能边缘（包括智能汽车）的推动下，预计2021年（自然年）DRAM将有所改善。”

市场调研机构IC Insights最新报告也显示，2020年存储依旧是半导体成长最快的品类。其中，DRAM市场预计为652亿美元，在31种集成电路产品中名列第一，NAND闪存以551.5亿美元位列第二，但涨幅最高，达25%。

David Zinsner表示，公司DRAM销量和平均价格好于预期；NAND销量超出预期，价格与内部预测基本一致。“在DRAM方面，我们将面临今年供应紧张的挑战，并试图满足云计算和其他市场的需求。”

在被问到此次DRAM景气度将持续多久时，David Zinsner认为，至少可以持续到今年。从需求看，不同的终端市场将拉动对DRAM的需求，这将持续多年，智能手机、云计算、汽车、工业、物联网、图形应用等领域都增加了DRAM的用量，“我们看到需求非常健康，主要取决于供应。我们预期，今年行业供不应求。因此，毫无疑问，DRAM市场将非常强劲。”他称，供应紧张的局面将至少持续一年。

集邦咨询表示，存储器价格在去年底落底后，买方库存压力与供过于求的市况已逐渐恢复平稳；随着价格逼近历史低点，买方采购意愿亦逐渐由被动转为积极。此外，疫情衍生的新生活常态，上云动能持续推动下，数据中心需求在今年第一季后会陆续增温，且将延续至下半年。

然而，从供给面来看，今年DRAM原厂在扩厂计划上相对保守，普遍无新产能计划，加上DRAM市场的垄断格局，促使原厂在产能规划上均以获利为优先考量。

NAND闪存方面，Sanjay此前表示，预计2021年NAND的位元需求增长约为30％，而供应可能更高。 NAND市场在短期内具有挑战性，但是，需求将逐渐改善。“我们认为，如果供应商减缓产量增长，市场将在2021年稳定下来。”

David Zinsner称，目前美光部分NAND业务已经稳定，“总体而言，主要取决于NAND厂商的资本支出，2021年将有多少位元上市，以及这将超出还是低于需求。NAND需求很好，增幅会高于DRAM，但是供应是很大的因素。”

集邦咨询3月3日报告表示，展望2021年第一季，供给端由于三星（Samsung）、长江存储（YMTC）积极扩产，以及各供应商均转进更高层数等影响，位元产出将显著增长。需求端方面，尽管笔电及智能手机品牌商备货动能延续，但仍因传统淡季而订单略有下修。此外，server与data center客户库存虽已大致回到健康水位，但尚未恢复采购动能，议价时供应商仍预期市场供过于求将会扩大，使合约价继续下跌。