6月17日，半导体全面爆发，第三代半导体指数领涨。截至收盘，聚灿光电、三安光电、斯达半导、北方华创、士兰微等多股涨停。

近期发布的《第三代半导体产业发展报告2020》显示，2020年我国第三代半导体产业总产值超过7098.6亿元。受益于国内疫情防控得力，经济全面回暖，政策市场双重利好，以及国际贸易摩擦带来的替代机遇，电力电子和射频电子维持增长趋势，但半导体照明受国内外环境影响，整体略有下滑。

第一代半导体材料以硅和锗为主，是CPU处理器等集成电路主要运用的材料；第二代半导体指一部分化合物半导体，包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等，主要特性是频率较高，目前手机所使用的关键通信芯片都采用这类材料制做。

而第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带的、半导体材料。

与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。其中，SiC和GaN的研究和发展更为成熟。

从市场格局看，目前全球第三代半导体仍然由美日欧企业主导。据市场调研机构Yole数据显示，Cree | Wolfspeed、ROHM、Infineon、Mitsubishi和ST 五家企业合计占有SiC 功率半导体80%的市场份额，EPC、Transphorm、GaN system、Infineon四家企业合计占有GaN功率半导体90%的市场份额，住友电工、Cree | Wolfspeed和Qorvo三家企业合计占有GaN射频85%的市场份额。

“这些国际巨头提前三年就已经在做量产的布局了。这是一个现实，未来在这方面，马上面临的就是一个严酷的市场竞争，有可能进入到价格战的阶段。”第三代半导体产业技术创新战略联盟秘书长于坤山在南京世界半导体大会上表示。

我国拥有第三代半导体材料最大的应用市场。受益于新能源汽车、5G、消费电子领域需求强劲，未来几年，国内SiC和GaN功率半导体市场将迎来高速增长。在政策和市场的双重驱动下，国内第三代半导体电力电子和射频方向行情呈明显上升态势。

前述报告显示，国内主流企业积极扩产布局，产业进入扩张期。经过几年发展，第三代半导体器件已经迅速进入了新能源汽车、光伏逆变、5G基站、PD快充等应用领域，市场迅猛增长，行业竞争日趋激烈。

为了迎合市场需求，争夺未来几年的关键竞争位置，国内主流企业在产业、产品和市场等多方面加强布局。其中尤以产能扩充为主要特征，天科合达、同光晶体、纳维科技、泰科天润、中电科55所、三安光电、世纪金光、基本半导体、英诺赛科等纷纷扩产，预示着国内第三代半导体产业开始进入扩张期。

与此同时，传统半导体企业依托资金、技术、渠道以及商业模式的优势，积极布局第三代半导体，谋求更多的利润增长点，代表企业有华润微、闻泰科技、斯达半导体、比亚迪、赛微电子、露笑科技、新洁能等。

三安集团北京公司副总经理陈东坡认为，化合物半导体是我国进入半导体最好的突破口。首先，从发展阶段而言，化合物半导体处于发展初期，虽然和国外有一些差距，但差距并没有硅半导体领域那么大；其次，在工艺和设备方面，化合物半导体的应用场景决定其无需追求特别先进的工艺，对设备和材料的要求相对低一点。

此外，从产业投资而言，化合物半导体的投资也更小。“以SiC为例，做一条化合物半导体IDM的线，五六十亿基本也能做，但是建一个硅的生产线远远不够。”陈东坡表示。