时隔四年多，联电与美光的专利纠纷案终于落地。

11月26日，晶圆代工厂联华电子和存储器巨头美光科技发布公告称，双方达成庭外和解协议。根据协议，双方将各自撤回向对方提出的诉讼，同时联电将向美光一次性支付和解金。对于具体的金额，双方并未披露。

此案源于福建晋华与联电的合作。2016年5月，曾被国内存储产业寄予厚望的福建晋华与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关制程技术。由晋华支付技术报酬金，开发出的DRAM技术成果将由双方共同拥有。

2017年美光举报称，联电与福建晋华的合作中涉嫌窃取其商业秘密；随后美国司法部也指控晋华和联电涉嫌窃取美光知识产权和商业机密事件。

在联电与美光多次的口水仗后，联电于2020年10月29日宣布，已与美国司法部达成和解。在和解协议中，美国司法部同意撤销对联电原来的指控，包括共谋实施经济间谍活动，共谋窃取多项美光的营业秘密和专利有关的指控，以及可能从4亿美元到87.5亿美元的损害赔偿及罚金等。

联电承认侵害一项营业秘密，同意支付美国政府6000万美元的罚金，并在三年自主管理的缓刑期间内与美国司法部合作。

联电表示，与晋华合作协议开发的DRAM程并非最新技术，而是与2012年量产技术相似的旧技术。

在11月26日联电与美光达成庭外和解协议后，此次专利纠纷将正式结束。