有消息称，英特尔CEO帕特·基尔辛格和技术开发高级副总裁安·凯勒披露了未来计划表示，2025年生产1.8纳米芯片。

首先，英特尔已经不再沿用之前的产品命名方式。他们之前将10纳米芯片命名为“Enhanced Superfin”，现在直接改名为“7”。这或许给人感觉有点名不副实，强行抬高自己的身价，因为7很容易让人误以为是7纳米产品。

但公平地说，生产工工艺的纳米级别现在已经不能真正对应物理状态了。而且从密度上看，英特尔目前的10纳米芯片是可以跟台积电和三星的7纳米芯片竞争的。

在7纳米之外，英特尔目前制定了非常激进的年度产品更新计划，预计该公司今年秋天将推出Alder Lake芯片，将高功率和低功率核心融合在一起。之后则是将目前的4纳米Meteor Lake芯片迁移到tile设计，并融合英特尔的3D堆叠芯片技术Foveros。

除此之外，英特尔还为基于EUV的3纳米芯片设计了一项技术，将会使用高能制造工艺简化芯片制造流程，并为埃米级技术规划了“20A”的入门单位。1埃米等于1/10纳米，所以20A的意思就是2纳米，此后还有18A。18A产品预计将从2025年开始投入生产，相应的产品将在2025至2030年间面市。

另外，虽然这些工艺水平已经不再直接对应实际的物理结构，但一个硅原子确实只在2埃米宽的范围内，因此的确是非常小的晶体管了。

这项计划看似非常激进，而且英特尔以往达成这类目标方面表现不佳。但即使能够接近这些目标，未来几年的笔记本电脑和台式机也将迎来巨大的性能提升。