在昨日的台积电线上法说会上，台积电总裁魏哲家指出，不评论竞争对手的技术蓝图，不过，相信台积电持续拥有最具竞争力的技术乃至 2 纳米技术，可以相信到 2025 年该技术的密度与效能将居领先。

魏哲家还指出，台积电的 N3/N3E 技术仍会是最佳 PPA（Performance，Power，Area；效能、功耗及面积） 与最具竞争力的技术，并成为下一个长期成长动能的节点。

这跟三星此前公布的时间线相同。三星电子 10 月 7 日在晶圆代工论坛上表示，2025 年将开始量产 2 纳米芯片，明年上半开始生产客户设计的 3 纳米芯片，第二代的 3 纳米芯片则预期在 2023 年生产。三星表示，公司的 GAA 电晶体结构先进制程技术已经发展完备，明年可为客户量产 3 纳米芯片，2025 年量产 2 纳米芯片。GAA 制程生产的 3 纳米芯片与 5 纳米相较，性能增强 30%，功耗减少 50%。

三星计划量产第一代 3 纳米芯片的时间大约也与台积电计划大批量生产这些芯片的时间相同。台积电总裁魏哲家今年 6 月时表示，3 纳米工艺将于 2022 年下半年开始量产。