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国内晶圆代工双雄2021年靓丽成绩单背后

时间:2022-04-25 16:44:00 | 来源:第一财经

在缺芯潮持续蔓延的2021年,全球半导体销售额首次超过5000亿美元,创下历史新高。中国作为全球最大的半导体市场,国内晶圆代工双雄中芯国际(688981.SH、00981.HK)和华虹半导体(01347.HK)也赚得盆满钵满。

根据ICInsights公布的2021年纯晶圆代工行业全球市场销售额排名,中芯国际位居全球第四位,在中国大陆企业中排名第一;华虹集团排名第五,紧随其后。

沪上某公募基金科技研究总监对第一财经表示,华虹走的不是摩尔定律的方向,而是往特色工艺上做,比如说PMIC电源管理芯片,功率、IGBT;中芯国际的方向则是朝着先进市场、往国际市场走。虽然拿华虹和中芯做比较有点“关公战秦琼”的感觉,但在国内,“他们在各自领域里,都是国产公司里面最厉害的。”

当然仍需承认的是,目前来看,中芯和华虹在技术水平上与国际企业仍存在差距,国内代工双雄仍有很长的路要走。

业绩:近五年华虹营收增长更快,中芯盈利增长更快

营收方面,华虹和中芯2021年营业收入都获得了大幅增长。其中,中芯国际2021全年保持产能利用率满载,营业收入从上一年的274.7亿元增长到356.3亿元,同比增长29.7%;华虹2021年销售收入达16.308亿美元(约合104亿元人民币),相比于2020年的9.613亿美元增长了69.6%。

净利润上,中芯2021年净利润达到112.03亿元,同比增长178.6%;华虹2021年达到2.31亿美元,相比于2020年增长了593.3%。

回顾近5年的业绩表现,根据通联数据Datayes!,中芯的营收规模增长66%,但盈利能力大幅提升,净利润规模增长了11倍,净利润率从2017年的4.22%提升至2021年的31.44%;相比之下,华虹的盈利能力五年来有所下降,净利润率从2017年的17.70%跌至2021年的14.03%,2020年净利率更是低至3.42%。

毛利率方面,中芯2021年毛利率为29.3%,同比增加5.5个百分点;2021年,华虹毛利率为27.7%,同比增长3.3个百分点。

中芯表示,展望2022年,基于外部环境相对稳定的前提下,公司预计全年营业收入增速会好于代工行业平均值,毛利率高于公司2021年水平。

产能:中芯、华虹双双积极扩产

在产能方面,中芯国际2021年年报表示,2021年,其销售晶圆的数量为674.7万片约当8寸晶圆,晶圆月产能为62.1万片约当8寸晶圆。

2021年,华虹无锡12英寸一期项目全面达产,贡献了29.5%的销售收入。这让华虹成功从8英寸晶圆厂华丽转身成为“8+12”晶圆厂。2021年华虹8英寸月产能为17.8万片,12英寸晶圆月产能为6万片。2021年,华虹晶圆出货量同比增长51.9%,产能利用率(相当于8英寸)为107.5%。

华虹在年报中表示,公司将继继扩大华安无锡12英寸生产线的产能,力争在2022年底前达到月生产能力9万片以上。

2022年初,中芯国际上海临港新厂破土动工。北京和深圳两个项目稳步推进,预计今年底前投入生产,预计2022 年公司新增月产能约 14 万片。中芯表示,2022年,计划产能的增量将会多于2021年。同时,为了持续推进已有老厂扩建及三个新厂项目,2022年依然是投入高峰期,资本开支预计约320.5亿元。

技术:中芯先进工艺营收占比提升,华虹55/65纳米工艺节点营收暴增

华虹半导体专注于嵌入式非易失性存储器、功率器件、模拟、电源管理及射频等差异化工艺平台晶圆代工,提供 1 微米至 65/55 纳米技术节点的工艺,具备全球竞争力。

从工艺节点来看,华虹代工工艺以0.35微米及以上为主,占比高达43%,2021年在功率分立器件影响下,来自0.35微米工艺节点的营收增长50.6%。其次是0.11微米和0.13微米,占比为18.6%;90纳米及95纳米,占比为17.2%,值得一提的是,2021年在图像传感器、智能卡芯片、MCU和电源管理芯片影响下,来自90纳米及95纳米工艺节点的营收增长179.4%;55纳米及65纳米,占比9.7%,在2021年在独立式非易失性存储器、CIS和逻辑与射频产品影响下,来自55纳米及65纳米工艺节点的营收同比增长2258.8%。

中芯国际可以向全球客户提供0.35微米到14纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。

在技术节点方面,来自90纳米及以下制程的晶圆代工业务营收的比例为62.5%。其中,55/65纳米技术的收入贡献比例为29.2%,40/45纳米技术的收入贡献比例为15.0%,FinFET/28纳米的收入贡献比例为15.1%,而FinFET/28纳米2020年这一比例为9.2%。

值得注意的是,虽然受美国“实体清单”管制影响,中芯国际2021年仍然完成了1万5千片FinFET产能目标,风险量产和规模量产稳步推进。

据悉,FinFET(FinField-Effect-Transistor,鳍式场效应晶体管)工艺极大地推动了面向低功耗、大算力的终端应用市场的发展,鉴于其高资金投入、高技术壁垒的特点,目前全球具备FinFET量产能力的晶圆代工企业为数不多,产能需求强劲。

除了先进制程,中芯国际也在发展特色工艺。55纳米BCD平台进入产品导入,55纳米及40纳米高压显示驱动平台进入风险量产,0.15微米高压显示驱动进入批量生产。多种特色工艺平台研发也在稳步进行中,将按照既定研发节奏陆续交付。

同时,中芯国际表示,2021年,40 纳米高压显示驱动工艺平台、嵌入式闪存平台工艺(eFlash)、NOR Flash 存储工艺和 NAND Flash 存储工艺项目已完成研发。

研发投入方面,2021年,中芯国际研发投入41.2亿元,占营业收入的比例为11.6%;华虹2021年研发成本为8606万美元,2020年这一数字为1.08亿美元。


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